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装料容量

即混炼容量，容量不足会降低对胶料的剪切作用和捏炼作用，甚至出现胶料打滑和转子空转现象，导致混炼效果不良。反之，容量过大，胶料翻转困难，使上顶拴位置不当，使一部分胶料在加料口颈处发生滞留，从而使胶料混合不均匀，混炼时间长，并容易导致设备超负荷，能耗大。因此，混炼容量应适当，通常取密闭室总有效容积的60%～70%为宜。密炼机混炼时装料容量可用下列经验公式计算：Q——装料容量，Kg；K——填充系数，通常取0.6～07；V——密闭室的总有效容积，L；ρ——胶料的密度，g/cm3。填充系数K的选取与确定应根据生胶种类和配方特点，设备特征与磨损程度、上顶拴压力来确定。NR及含胶率高的配方，K应适当加大；合成胶及含胶率低的配方，K应适当减小；磨损程度大的旧设备，K应加大；新设备要小些；啮合型转子密炼机的K应小于剪切型转子密炼机；上顶拴压力增大，K也应相应增大。另外逆混法的K必须尽可能大。

当密炼机遇见紫外线会擦出怎样的火花

     紫外线技术已经在很多方面都有应用，而且让人一看就有很高端的感觉，那么当密炼机遇到紫外线会擦出什么样的火花呢？紫外线技术能为密炼机带来什么样的改变呢？

     密炼机的自动化电气化已经实现，所谓密炼机自动化控制就是有把重要系统都设置在一个小小的芯片上面，那么怎样处理芯片上的东西是，使它更加的细腻更加的灵敏是很重要的，所以我们借用EUV光刻技术将更小的晶体管蚀刻在密炼机系统的微芯片上，即用超短波长的光在现有微芯片上制造比目前精细4倍的图案。只不过要想做到这一点，EUV光刻技术面临着理化工等多个方面的挑战。通过将波长缩短到13.5纳米，芯片上的图案可缩小到5纳米或更小。芯片上的集成电路图案是通过让光透过一个遮蔽物照射在一块涂满光阻剂的硅晶圆上制成，我们都知道一块芯片能容纳的晶体管数量每隔几年就可以翻番，但是现在这一速度正在慢慢降低，二手密练机，或者说走向尽头。光越暗淡，凝固光阻剂需要的时间也越长，而且因为光刻技术是微芯片制造过程中慢的步骤，所以，EUV光源的强度对降低成本至关重要。在芯片上蚀刻更小图案方式是使用波长更短的光波。

影响密炼机塑炼的因素

   1：转子转速：子速度越快，生热越大，氧化裂解也越快，塑炼效果好，广东110升二手密练机，塑炼时间缩短。

   2：温度：温度升高，热氧化裂解快，塑炼效果好。但是温度过高会导致橡胶分子过度裂解，威福兴55升二手密练机，导致物理机械性能下降。天然橡胶排胶温度一般控制在140℃- 160℃，丁苯橡胶控制在140℃，因为温度过高会发生交联或支化等反应，反而降低可塑度。NBR一般不用密炼机塑炼，在密炼温度下，非但不能获得塑炼效 果，反而会导致生成凝胶。?

   3：时间：密炼机塑炼与开炼机塑炼不同，生胶的可塑度随在密炼机中塑炼时间的增长而不断增大。因此，制定炼胶条件主要就是根据可塑度的要求确定适当的塑炼时间。

   4：装胶量和上顶栓压力：装胶量过小，塑炼效果低。装胶量过大，使生胶塑炼不均匀，而且会使排胶温度过高，另外还能使设备超负荷运转而易于损坏。在密炼机塑炼过程中，上顶栓必须对胶料加压，以保证获得良好的塑炼效果，在一定范围内，塑炼效果随上顶栓压力的增大而增大。